Forbhreathnú táirge
Is ionchlannán ian fuinnimh ardfheidhmíochta é UHB 100. Tá sé deartha le haghaidh próisis dhomhaindhópála acomhal le haghaidh ard-déantúsaíochta leathsheoltóra. Ag baint úsáide as fuinneamh ard-luasghéaraithe suas le 8 MeV le haghaidh iain luchta singil, glactar leis an ailtireacht singil-ionchlannú sliseog. Seachadann sé cobhsaíocht chórais den scoth, rialú paraiméadair beacht, aonfhoirmeacht ionchlannú níos fearr agus in-atrialltacht, ag tacú le clúdach próiseas leathan le haghaidh feistí loighic, cuimhne, íomháithe agus cumhachta.
Buntáistí
Cumas ard-léas fuinnimh: Sáraíonn an fuinneamh ian luchta aonair 1 MeV, sroicheann an t-uasfhuinneamh 8 MeV, tacaíonn sé le próisis ionchlannaithe tobair domhain agus aisghrádaithe.
Feidhmíocht ard-foinse ian ar feadh an tsaoil-foinse ian saoil: Cinntíonn dearadh foinse ian optamaithe aschur cobhsaí faoi choinníollacha luasghéaraithe leibhéal MeV agus laghdaítear aga neamhfhónaimh maidir le cothabháil foinse.
Ard-íonacht fuinnimh & éifeachtacht tarchurtha léasa: Feabhsaíonn dearadh optúil líne ard-léasa éifeachtacht tarchurtha léasa agus seachnaíonn sé éilliú fuinnimh le haghaidh próifílí ionchlannaithe ardchaighdeáin.
Cruinneas próisis den scoth: Sár-aonfhoirmeacht dáileoige agus in-atrialltacht thar raonta iomlána dáileoige, a shásaíonn dianriachtanais olltáirgeadh nód chun cinn.
Táirgeadh sliseog shingil-ailtireacht dhírithe: Cumasaíonn dearadh ionchlannú wafer aonair aistriú solúbtha oidis, atá oiriúnach do{-mais táirge{{{{{{}}{{{{{{}})táirgeadh measctha i fabs.
Feidhmchláir
Tacaíonn UHB 100 le hionchlannú acomhal ard-domhainfhuinnimh{-do sceallóga leathsheoltóra príomhshrutha:
LOJIC, DRAM, 3D NAND, NOR Flash
Feistí cumhachta CMOS, MOSFET, IGBT, BCD
CIS, MEMS agus-déantúsaíocht gléas leathsheoltóra íomháithe eile
Paraiméadair
|
Mír |
Sonraíocht |
|
Raon Fuinnimh |
20 keV-8 MeV |
|
Max Bhíoma Reatha |
B⁺: Níos mó ná nó cothrom le 1000 μA @1 MeV |
|
Raon Dáileog |
1E11-5E15 iain/cm² |
|
Aonfhoirmeacht na dáileoige (1σ) |
1E11-5E11 iain/cm²: Níos lú ná nó cothrom le 1%; 5E11-5E15 iain/cm²: Níos lú ná nó cothrom le 0.5% |
|
Atrialltacht dáileoige (1σ) |
1E11-5E11 iain/cm²: Níos lú ná nó cothrom le 1%; 5E11-5E15 iain/cm²: Níos lú ná nó cothrom le 0.5% |
CCanna
C: Cad é an cás iarratais lárnach do UHB 100?
A: Úsáidtear UHB 100 go príomha le haghaidh dópáil domhainfhuinnimh ardfhuinnimh ar nós tobair aischéimnitheach agus ionchlannú tobair dhomhain le haghaidh sceallóga loighic, sceallóga stórála agus feistí leathsheoltóra cumhachta. Clúdaíonn sé na príomhchéimeanna um ionchlannú ardfhuinnimh le haghaidh ardmhonarú nód.
C: Cad é an fuinneamh luasghéaraithe uasta de UHB 100?
A: Sroicheann an fuinneamh uasta 8 MeV le haghaidh iain aon mhuirear, agus is féidir aschur reatha beam cobhsaí a bhaint amach ag fuinneamh os cionn 1 MeV.
C: Cad mar gheall ar fheidhmíocht rialaithe dáileog?
A: Maidir le raon dáileog 1E11 5E11 hiain/cm², 1σ aonfhoirmeacht agus atrialltacht Níos lú ná nó cothrom le 1%; le haghaidh iain 5E11 5E15/cm², aonfhoirmeacht 1σ agus in-atrialltacht Níos lú ná nó cothrom le 0.5%, a chomhlíonann ceanglais dhiantáirgeadh mais IC fabs.
C: An féidir le UHB 100 oibriú le hionchlannóirí SEMICORE eile i líne táirgeachta amháin?
A: Tá. Is féidir UHB 100 a chomhtháthú le hionchlannáin mheán-srutha sraith CIP, ionchlannáin ardsrutha sraith CIC chun réiteach ionchlannáin ian baile iomlán a thógáil a chlúdaíonn próisis ísealfhuinnimh, meánfhuinnimh agus ardfhuinnimh.
C: Cén tacaíocht seirbhíse is féidir a sholáthar?
A: Soláthraíonn SEMICORE ZKX soláthar páirteanna spártha iomlána, cothabháil bhliantúil, bogadh seirbhíse iontach, athchóiriú trealaimh, tacaíocht theicniúil ar an láthair agus tiúnadh oidis próisis le haghaidh coimisiúnú líne táirgeachta.
C: An bhfuil UHB 100 cáilithe le haghaidh táirgeadh mais 28 nm?
A: Tá. Tá UHB 100 fíoraithe do phróisis olltáirgthe síos go dtí nód 28 nm do línte táirgeachta ciorcaid iomlánaithe baile ar scála mór.
Clibeanna Te: ionchlannán ian ardfhuinnimh, monaróirí ionchlannáin ian ardfhuinnimh na Síne, soláthraithe
