Forbhreathnú táirge

An uirlis eitseála CCP 6-orlach le haghaidh táirgeadh beag go{{-meánmhéide agus T&F. Trí úsáid a bhaint as teicneolaíocht an chontrapháirtí lárnaigh, gineann a chuasán aonair plasma chun ábhair eitseála; baintear seachtháirgí so-ghalaithe trí fholús. Oibríonn sé le níos lú ná nó cothrom le 6 orlach sliseog, tairgeann sé réitigh sholúbtha, éifeachtach ó thaobh costais do mhicreastruchtúir bheachtais íseal go meán-oiriúnach don tionscal agus do shaotharlanna araon.

Buntáistí

Sár-spás-éifeachtach

Coinníonn an tógáil seomra aonair an lorg beag bídeach-foirfe do línte táirgeachta nó saotharlanna teoranta, agus laghdóidh sé do chostais socraithe freisin.

Éasca ar an mbuiséad

Rinneamar an dearadh a scagadh agus d'úsáideamar fíor-chomhpháirteanna triailte, ionas go seachadann sé feidhmíocht seasta gan an banc a bhriseadh.

Super ildánach

Láimhseálann sé eitseáil do Si, SiO₂, SiNₓ, Au, Ta-ainmníonn tú é. Is cuma cad a bhfuil tú ag obair air, tá sé clúdaithe tú.

Fócas próiseas saincheaptha

Tá sé iontach le haghaidh descum photoresist agus eitseáil tréleictreach, le rialú paraiméadar pinpoint chun torthaí a choinneáil comhsheasmhach gach uair.

Feidhmchláir

01/

Micrea-nanaghléas a dhéanamh:Múnlaíonn sé micreastruchtúir do pháirteanna beaga leathsheoltóra-foirfe do chomhpháirteanna a bhfuil gá acu le cruinneas íseal go dtí cruinneas meánach.

02/

Descum & eitseáil tréleictreach:Glantar amach an t-iarmhar fótaileictreach agus eitseálann sé ábhair thréleictreacha, ionas go bhfanfaidh dromchlaí do ghléis glan agus slán.

03/

T&F agus fréamhshamhaltú:Is breá le saotharlanna agus le foirne T&F fiontraíochta é mar iarracht-an uirlis atá iontach chun ábhair nua, struchtúir nua agus fréamhshamhlacha tógála a thástáil.

04/

Ritheanna beaga-bhaisc:Foirfe chun braiteoirí saincheaptha nó modúil micrileictreonacha a dhéanamh i gcainníochtaí beaga-chothromaíonn sé éifeachtúlacht agus costas cosúil le pro.

Paraiméadair

Catagóir	Sonraí
Comhoiriúnacht Wafer	Uasmhéid. 6-orlach (150mm) sliseog; comhoiriúnach le sliseog 4-orlach/2-orlach trí iompróirí oiriúnaitheacha
Teicneolaíocht Foinse Plasma	Plasma Cúpláilte Acmhainne (CCP); soláthar cumhachta RF minicíochta singil (13.56MHz)
Ábhair Etch Tacaithe	Sileacan (Si), dé-ocsaíd sileacain (SiO₂), nítríd sileacain (SiNₓ), ór (Au), tantalam (Ta), fótairéiseach
Feidhmíocht Príomhphróisis	- Comhionannas eitseála: Níos lú ná nó cothrom le 7% (laistigh de-wafer, 6-orlach)- Roghnaíocht eitse (Si vs SiO₂): Níos mó ná nó cothrom le 20:1- Éifeachtacht díscéime fótaileictreach: Níos mó ná nó cothrom le 95% bainte iarmhair
Raon Cumhachta RF	0-500W (inchoigeartaithe in incrimintí 1W); cobhsaíocht cumhachta: ± 1%
Cumraíocht Seomra	Seomra eitseála aonair; cuas cruach dhosmálta le sciath ceirmeach; córas sceite bhfolús comhtháite
Feidhmíocht Fholúis	Bunbhrú: Níos lú ná nó cothrom le 5×10⁻⁵ Pa; luas caidéalaithe: Níos mó ná nó cothrom le 300 L/s
Córas Rialaithe Gáis	Rialaitheoir sreafa mais 4-chainéil (MFC); raon sreafa: 0-200 sccm in aghaidh an chainéil; gáis tacaithe: SF₆, O₂, CF₄, Ar, N₂
Rialú Teochta	Teocht Chuck: 20-80 céim (inchoigeartaithe); cobhsaíocht teochta: ±0.5 céim
Táirgeadh & Iontaofacht	- Baisc-am próiseála: 3-10 nóim in aghaidh an sliseog (athraíonn de réir próisis)- Meán Am Idir Teipeanna (MTBF): Níos mó ná nó cothrom le 250 uair- Lorg: Níos lú ná nó cothrom le 1.2m × 0.8m (L×W)
Comhéadan Rialaithe	Scáileán Tadhaill HMI; Córas rialaithe PLC; tacú le stóráil oidis próisis (suas le 100 tacair)